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SiC MOSFET的重要利用

2024-12-20 09:12

上篇文章给各人讲述了SiC MOSFET的重要特点 ,这次重要是对SiC MOSFET利用的举例 。

 

一、行业典型利用

碳化硅MOSFET的重要利用领域蕴含:充电桩电源  ?椤⒐夥姹淦鳌⒐獯⒁惶寤⑿履茉雌悼盏鳌⑿履茉雌礝BC、新能源汽车主驱逆变器和牵引逆变器、工业电源等 。

 

1、充电桩电源  ?

与下游数量较多的充电桩造作商和运营商分歧 ,目前充电  ?樾幸低婕沂坑邢 。历经从前几年的强烈竞争 ,行业逐步出清 。目前主流企业仅10家左右 ,蕴含特来电、盛弘股份、科华恒盛等为代表的自产自用型;以及英飞源、优优绿能、星源博睿、英可瑞等为代表的表供型两类 。

随着新能源汽车800V平台的出现 ,主流充电  ?橐泊又爸髁鞯15、20kW向30、40kW发展 ,输出电压领域300Vdc-1000Vdc ,并且具备双向充电职能 ,以达到V2G/V2H等技术要求 。因而 ,越来越多充电  ?槠笠灯鹜费∪SiC MOS规划 。

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2、光伏逆变器

在全球可再生能源的大力发展以及“双碳」亟略指标的推动下 ,全球光伏产业迅速扩张 ,光伏逆变器市场整体也出现高速发展趋向 。凭据海关总署数据 ,从出货情况来看 ,2023逆变器累计出口99.54亿美元 ,同比+11% 。

经过多年的市场竞争 ,当前我国光伏逆变器行业已经形成较为集钟注整体竞争较为充分的格局 。同时 ,国内驰名逆变器品牌仍维持急剧增长 ,出货量及全球市场占有率也在稳步提升 。数据显示 ,2022年全球光伏逆变器供给商出货量市场排名前五的企业是:阳光电源、华为、古瑞瓦特、锦浪科技和SMA 。而在钻研机构BNEF颁布的“全球最具融资价值光伏逆变器品牌”前十名榜单中 ,也有6家中国逆变器企业入围 ,其中 ,正泰电源、华为、阳光电源居于前三 ,锦浪、特变电工、固德威也位列其中 。

 

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3、新能源汽车空调

随着800V平台在新能源汽车上的鼓起 ,在汽车空调压缩机节造器规划中 ,SiC MOS凭借其高压高效、贴片封装体积幼蹬着势 ,成为市场首选 。行业头部客户如弗迪科技、翰昂、华域三电、信阳中成、奥特佳、海立、威灵、上海光裕、沉庆超力等 。

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4、大功率OBC

三相OBC电路中SiC MOS利用更高的开关频率 ,能够减幼磁性元器件体积和沉量 ,提高效能和功率密度 ,同时高系统母线电压 ,大大削减功率器件数量 ,便于电路设计 ,提高靠得住性 。

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5、新能源主驱逆变器和牵引逆变器

汽车的行驶能耗和电机的逆变和驱动有极大的关系 ,使用SiC  ?槟芄豢隙ㄋ缴咸嵘逍 ,降低能耗提升续航 ,并且SiC器件在高温的环境下也有不错的阐发 ,对于通例Si器件有着很大优势 。

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二、推荐的SiC品牌 。

 

1、罗姆(ROHM):在全球率先开发选取沟槽结构的SiC MOSFET ,在第4代SiC MOSFET进一步发展了ROHM自有的双沟槽结构 ,在不就义牵引变频器所需的短路耐受功夫的情况下 ,与传统产品相比 ,成功地降低了约40%的导通电阻 。作为SiC MOSFET ,实现了行业先进的低导通电阻 。此表 ,通过大幅降低栅漏电容(Qgd) ,与传统产品相比 ,成功地将开关损耗降低了约50% 。 

ROHM最新的第4代SiC MOSFET拥有以下这些个性 ,例如当建设车载逆变器时 ,与IGBT相比 ,在以逆变器的低转矩和低转速领域为中心的效能得到显著提高 ,电费节俭了6%(按国际尺度“WLTC油耗测试”推算) ,有助于蕴含车载逆变器和各类开关电源在内的各类利用产品实现显著的幼型化和更低功耗 。

 

2、东芝(TOSHIBA):东芝第3代SiC MOSFET拥有以下特点 。

·内置肖特基势垒二极管(SBD)降低正向电压VDSF ,抑造导通电阻RDS(ON)颠簸 。

·降低代表导通损耗与开关损耗之间关系的机能指标RDS(ON)×Qgd  。

·宽栅源额定电压VGSS领域 。

东芝第3代SiC MOSFET推出电压别离为650V和1200V的两款系列产品 ,可降低服务器、不间断电源(UPS)、光伏逆变器等各类利用的电源损耗 。

 

  1. 意法半导体(ST):SiC MOSFET的重要特点蕴含:

·汽车级(AG)合格器件

·超高温处置能力(最高TJ = 200°C)

·超高开关工作频率和极低开关损耗

·低导通状态电阻

·栅极驱动可兼容现有IC

·不变的超急剧本体二极管

ST的SiC MOSFET产品组合蕴含先进的封装(HiP247、H2PAK-7、TO-247长引线、STPAK和HU3PAK) ,专为满足汽车和工业利用的严格要求而设计 。

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除了新式封装技术 ,ST的SiC MOSFET(蕴含G3器件)还可选取袒露晶片大局 。切合严格的汽车级要求(蕴含晶圆级老化(WLBI)和已知优良晶片(KGD)过程) ,袒露晶片可选取沉构晶圆或卷盘封装 。

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